Tegude, F.-J.: шукати на сайті Z-Library

Рік:

1995

Мова:

english

Файл:

PDF, 398 KB

english, 1995

Coplanar microwave phase shifter for InP-based MMICs

M. Dragoman, M. Block, R. Kremer, F. Buchali, F.J. Tegude, D. Jäger

Журнал:

Рік:

1992

Мова:

english

Файл:

PDF, 175 KB

english, 1992

Surface-recombination-free InGaAs/InP HBTs and the base contact recombination

Z. Jin, X. Liu, W. Prost, F.-J. Tegude

Журнал:

Microelectronics Reliability

Рік:

2008

Мова:

english

Файл:

PDF, 184 KB

english, 2008

MMIC in-circuit and in-device testing with an on-wafer high frequency electric force microscope test system

A. Leyk, S. Van Waasen, F.J. Tegude, E. Kubalek

Журнал:

Рік:

1997

Мова:

english

Файл:

PDF, 361 KB

english, 1997

Monodisperse aerosol particle deposition: Prospects for nanoelectronics

W. Prost, F.E. Kruis, F. Otten, K. Nielsch, B. Rellinghaus, U. Auer, A. Peled, E.F. Wassermann, H. Fissan, F.J. Tegude

Журнал:

IEEE Transactions on Electron Devices

Рік:

1998

Мова:

english

Файл:

PDF, 386 KB

english, 1998

Drastic reduction of gate leakage in InAlAs/InGaAs HEMT's using a pseudomorphic InAlAs hole barrier layer

Heedt, C., Buchali, F., Prost, W., Brockerhoff, W., Fritzsche, D., Nickel, H., Losch, R., Schlapp, W., Tegude, F.-J.

Журнал:

Рік:

1994

Мова:

english

Файл:

PDF, 605 KB

english, 1994

Investigation and modeling of impact ionization with regard to the RF and noise behavior of HFET

Reuter, R., Agethen, M., Auer, U., van Waasen, S., Peters, D., Brockerhoff, W., Tegude, F.-J.

Журнал:

IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques

Рік:

1997

Мова:

english

Файл:

PDF, 262 KB

english, 1997

27-GHz bandwidth high-speed monolithic integrated optoelectronic photoreceiver consisting of a waveguide fed photodiode and an InAlAs/InGaAs-HFET traveling wave amplifier

van Waasen, S., Umbach, A., Auer, U., Bach, H.-G., Bertenburg, R.M., Janssen, G., Mekonnen, G.G., Passenberg, W., Reuter, R., Schlaak, W., Schramm, C., Unterborsch, G., Wolfram, P., Tegude, F.-J.

Журнал:

IEEE Journal of Solid-State Circuits

Рік:

1997

Мова:

english

Файл:

PDF, 230 KB

english, 1997

[IEEE 25th European Microwave Conference, 1995 - Bologna, Italy (1995.10.4-1995.10.6)] 25th European Microwave Conference, 1995 - A new temperature noise model of HFET with special emphasis on a gate-leakage current and investigation of the bias dependence of the equivalent noise sources

Reuter, R, van Waasen, St, Peters, D, Auer, U, Brockerhoff, W, Tegude, F J

Рік:

1995

Мова:

english

Файл:

PDF, 6.56 MB

english, 1995

[IEEE 2007 European Microwave Integrated Circuit Conference - Munich, Germany (2007.10.8-2007.10.10)] 2007 European Microwave Integrated Circuit Conference - Large-signal analysis and AC modelling of sub micron resonant tunnelling diodes

Matiss, A., Poloczek, A., Brockerhoff, W., Prost, W., J. Tegude, F.-

Рік:

2007

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.09 MB

english, 2007

[IEEE International Conference on Indium Phosphide and Related Materials - Santa Barbara, CA, USA (12-16 May 2003)] International Conference onIndium Phosphide and Related Materials, 2003. - Growth of highly p-type doped GaAsSb:C for HBT application

Neumann, S., Prost, W., Tegude, F.-J.

Рік:

2003

Мова:

english

Файл:

PDF, 221 KB

english, 2003

[IEEE 1998 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest (Cat. No.98CH36192) - Baltimore, MD, USA (7-12 June 1998)] 1998 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest (Cat. No.98CH36192) - Distributed velocity-matched 1.55 μm InP travelling-wave photodetector for generation of high millimeterwave signal power

Alles, M., Auer, U., Tegude, F.-J., Jager, D.

Рік:

1998

Мова:

english

Файл:

PDF, 370 KB

english, 1998

[IEEE GaAs IC Symposium IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium. 18th Annual Technical Digest 1996 - Orlando, FL, USA (3-6 Nov. 1996)] GaAs IC Symposium IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium. 18th Annual Technical Digest 1996 - 27 GHz bandwidth high speed monolithic integrated optoelectronic photoreceiver consisting of a waveguide fed photodiode and an InAlAs/InGaAs-HFET-traveling wave amplifier

van Waasen, S., Umbach, A., Auer, U., Back, H.-G., Bertenburg, R.M., Mekonnen, G.G., Passenberg, W., Reuter, R., Schlaak, W., Schramm, C., Unterborsch, G., Wolfram, P., Tegude, F.J.

Рік:

1996

Мова:

english

Файл:

PDF, 471 KB

english, 1996

[IEEE Related Materials (IPRM) - Newport Beach, CA, USA (2009.05.10-2009.05.14)] 2009 IEEE International Conference on Indium Phosphide & Related Materials - Wavelength-selective receiver for simultaneous λ=1.3 µm and λ=1.55 µm RF optical transmission

Poloczek, Artur, Munstermann, Benjamin, Nannen, Ingo, Regolin, Ingo, Tegude, Franz-Josef

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 526 KB

english, 2009

[IEEE 1996 54th Annual Device Research Conference Digest - Santa Barbara, CA, USA (24-26 June 1996)] 1996 54th Annual Device Research Conference Digest - 27 GHz bandwidth integrated photoreceiver comprising a waveguide fed photodiode and a GaInAs/AlInAs-HEMT based travelling wave amplifier

Umbach, A., Passenberg, W., Unterborsch, G., Mekonnen, G.G., Schlaak, W., Schramm, C., Ebert, W., Wolfram, P., Bach, H.-G., van Waasen, S., Bertenburg, R.M., Janssen, G., Reuter, R., Auer, U., Tegude,

Рік:

1996

Мова:

english

Файл:

PDF, 219 KB

english, 1996

Planar-defect characteristics and cross-sections of 〈001〉, 〈111〉, and 〈112〉 InAs nanowires

Z. Li, C. Möller, V. Migunov, M. Spasova, M. Farle, A. Lysov, C. Gutsche, I. Regolin, W. Prost, F. Tegude, P. Ercius

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.29 MB

english, 2011

[IEEE 2007 IEEE International Conference on Ultra-Wideband - Singapore (2007.09.24-2007.09.26)] 2007 IEEE International Conference on Ultra-Wideband - Sub-Nanosecond Pulse Generation using Resonant Tunneling Diodes for Impulse Radio

Matiss, A., Poloczek, A., Stohr, A., Brockerhoff, W., Prost, W., Tegude, F.-J.

Рік:

2007

Мова:

english

Файл:

PDF, 4.16 MB

english, 2007

[IEEE 2008 38th European Microwave Conference (EuMC) - Amsterdam, Netherlands (2008.10.27-2008.10.31)] 2008 38th European Microwave Conference - Large-Signal Performance of Resonant Tunnelling Diodes in K-Band Oscillators

Munstermann, B., Matiss, A., Brockerhoff, W., Tegude, F.-J.

Рік:

2008

Мова:

english

Файл:

PDF, 707 KB

english, 2008

[IEEE 2008 European Microwave Integrated Circuit Conference (EuMIC) - Amsterdam, Netherlands (2008.10.27-2008.10.28)] 2008 European Microwave Integrated Circuit Conference - Large-Signal Performance of Resonant Tunnelling Diodes in K-Band Oscillators

Munstermann, B., Matiss, A., Brockerhoff, W., Tegude, F.-J.

Рік:

2008

Мова:

english

Файл:

PDF, 707 KB

english, 2008

[IEEE 28th European Microwave Conference, 1998 - Amsterdam, Netherlands (1998.10.4-1998.10.6)] 28th European Microwave Conference, 1998 - A New Consistent RF-and Noise Model with Special Emphasis on Impact Ionisation for Dual-Gate HFET in Cascode Configuration

Breder, T., Reuter, R., Daumann, W., Schreurs, D., van der Zanden, K., Brockerhoff, W., Tegude, F.J.

Рік:

1998

Мова:

english

Файл:

PDF, 4.43 MB

english, 1998

[IEEE 2013 71st Annual Device Research Conference (DRC) - Notre Dame, IN, USA (2013.06.23-2013.06.26)] 71st Device Research Conference - III-V-Semiconductor nanowires for the fabrication of optoelectronic and electronic devices

Tegude, F. J.

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 543 KB

english, 2013

Electrical characterization and transport model of n-gallium nitride nanowires

Benner, O., Blumberg, C., Arzi, K., Poloczek, A., Prost, W., Tegude, F.-J.

Журнал:

Applied Physics Letters

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 998 KB

english, 2015

[IEEE 8th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials - Schwabisch-Gmund, Germany (21-25 April 1996)] Proceedings of 8th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials - Characterization and analysis of a new gate leakage mechanism at high drain bias in InAlAs/InGaAs heterostructure field-effect transistors

Auer, U., Reuter, R., Ellrodt, P., Prost, W., Tegude, F.J.

Рік:

1996

Файл:

PDF, 6 KB

1996

The impact of pseudomorphic AlAs spacer layers on the gate leakage current of InAl As/InGaAs heterostructure field-effect transistors

U. Auer, R. Reuter, P. Ellrodt, C. Heedt, W. Prost, F. J. Tegude

Журнал:

Microwave and Optical Technology Letters

Рік:

1996

Мова:

english

Файл:

PDF, 420 KB

english, 1996

Manufacturability and robust design of nanoelectronic logic circuits based on resonant tunnelling diodes

W. Prost, U. Auer, F.-J. Tegude, C. Pacha, K. F. Goser, G. Janssen, T. van der Roer

Журнал:

International Journal of Circuit Theory and Applications

Рік:

2000

Мова:

english

Файл:

PDF, 360 KB

english, 2000

n-GaAs/InGaP/p-GaAs Core-Multishell Nanowire Diodes for Efficient Light-to-Current Conversion

Christoph Gutsche, Andrey Lysov, Daniel Braam, Ingo Regolin, Gregor Keller, Zi-An Li, Martin Geller, Marina Spasova, Werner Prost, Franz-Josef Tegude

Журнал:

Advanced Functional Materials

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.59 MB

english, 2012

Circuit and application aspects of tunnelling devices in a MOBILE configuration

P. Glösekötter, C. Pacha, K. F. Goser, W. Prost, S. O. Kim, H. van Husen, T. Reimann, F. J. Tegude

Журнал:

International Journal of Circuit Theory and Applications

Рік:

2003

Мова:

english

Файл:

PDF, 532 KB

english, 2003

InyGa1-yAs⧸GaAs interface smoothing by GaAs monolayers in highly strained graded superlattice channels (0.2 ≤ y ≤ 0.4) for pseudomorphic AlxGa1-xAs⧸InyGa1-yAs HFET

J. Kraus, H. Meschede, Q. Liu, W. Prost, F.J. Tegude, H. Lakner, E. Kubalek

Журнал:

Рік:

1993

Мова:

english

Файл:

PDF, 264 KB

english, 1993

Highly strained In0.5Ga0.5P as wide-gap material on InP substrate for heterojunction field effect transistor application

F. Scheffer, A. Lindner, Q. Liu, C. Heedt, R. Reuter, W. Prost, H. Lakner, F.J. Tegude

Журнал:

Рік:

1994

Мова:

english

Файл:

PDF, 581 KB

english, 1994

Low-pressure metalorganic vapour phase epitaxy growth of InAs/GaAs short period superlattices on InP substrates

A. Lindner, Q. Liu, F. Scheffer, M. Haase, W. Prost, F.J. Tegude

Журнал:

Рік:

1994

Мова:

english

Файл:

PDF, 642 KB

english, 1994

InP-based heterostructure field-effect transistors with high-quality short-period (InAs)3m/(GaAs)1m superlattice channel layers

U. Auer, R. Reuter, C. Heedt, W. Prost, F.J. Tegude

Журнал:

Рік:

1995

Мова:

english

Файл:

PDF, 369 KB

english, 1995

Investigation of leakage current behaviour of Schottky gates on InAlAs/InGaAs/InP HFET structures by a 1D model

P Ellrodt, W Brockerhoff, F.J Tegude

Журнал:

Рік:

1995

Мова:

english

Файл:

PDF, 618 KB

english, 1995

Asymmetric (Schottky-ohmic) MSM photodetector

M. Porges, J. S̆afranková, T. Lalinský, I. Kostic̆, I.W. Rangelow, F.J. Tegude, D. Jäger

Журнал:

Рік:

1995

Мова:

english

Файл:

PDF, 149 KB

english, 1995

Traps at interfaces betweeen GaAs n-type LPE layers and different substrates

J. Baston, F.-J. Tegude, K. Heime

Журнал:

Surface Science Letters

Рік:

1983

Мова:

english

Файл:

PDF, 48 KB

english, 1983

Numerical analysis of InP-JFET by use of a quasi 2D-model

W. Brockerhoff, P. Ellrodt, W. Güldner, K. Heime, F.J. Tegude

Журнал:

Рік:

1992

Мова:

english

Файл:

PDF, 216 KB

english, 1992

Analysis of gate leakage on MOVPE grown InAlAs/InGaAs-HFET

F. Buchali, C. Heedt, W. Prost, I. Gyuro, H. Meschede, F.J. Tegude

Журнал:

Materials Science and Engineering: B

Рік:

1992

Мова:

english

Файл:

PDF, 232 KB

english, 1992

Passivation of InP-based HBTs

Z. Jin, K. Uchida, S. Nozaki, W. Prost, F.-J. Tegude

Журнал:

Applied Surface Science

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 382 KB

english, 2006

Growth and characterization of AlGaAs/GaAs Bragg reflectors for non-linear optoelectronic devices

F. Scheffer, M. Joseph, W. Prost, F.J. Tegude, H. Lakner, S. Zumkley, G. Wingen, D. Jäger

Журнал:

Рік:

1991

Мова:

english

Файл:

PDF, 374 KB

english, 1991

Effects of deep levels and Si-doping on GaInP material properties investigated by means of optical methods

Q. Liu, U. Quedeweit, F. Scheffer, A. Lindner, W. Prost, F.J. Tegude

Журнал:

Materials Science and Engineering: B

Рік:

1993

Мова:

english

Файл:

PDF, 311 KB

english, 1993

X-ray characterization of very thin GaxIn1−xP (x ≈ 0.5) layers grown on InP

Q. Liu, F. Scheffer, A. Lindner, H. Lakner, W. Prost, F.J. Tegude

Журнал:

Materials Science and Engineering: B

Рік:

1994

Мова:

english

Файл:

PDF, 741 KB

english, 1994

Growth and characterization of InAlP/InGaAs double barrier RTDs

S. Neumann, P. Velling, W. Prost, F.-J. Tegude

Журнал:

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 188 KB

english, 2004

Improved structure and performance of the GaAsSb/InP interface in a resonant tunneling diode

Z. Kollonitsch, H.-J. Schimper, U. Seidel, K. Möller, S. Neumann, F.-J. Tegude, F. Willig, T. Hannappel

Журнал:

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 319 KB

english, 2006

Growth and characterisation of GaAs/InGaAs/GaAs nanowhiskers on (1 1 1) GaAs

I. Regolin, D. Sudfeld, S. Lüttjohann, V. Khorenko, W. Prost, J. Kästner, G. Dumpich, C. Meier, A. Lorke, F.-J. Tegude

Журнал:

Рік:

2007

Мова:

english

Файл:

PDF, 595 KB

english, 2007

Axial pn-junctions formed by MOVPE using DEZn and TESn in vapor–liquid–solid grown GaAs nanowires

I. Regolin, C. Gutsche, A. Lysov, K. Blekker, Zi-An Li, M. Spasova, W. Prost, F.-J. Tegude

Журнал:

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 985 KB

english, 2011

ICP-RIE etching of self-aligned InP based HBTs with Cl2/N2 chemistry

S. Topaloglu, W. Prost, F.-J. Tegude

Журнал:

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 739 KB

english, 2011

Current gain increase by SiNx passivation in self-aligned InGaAs/InP heterostructure bipolar transistor with compositionally graded base

Z Jin, F Otten, T Reimann, S Neumann, W Prost, F.-J Tegude

Журнал:

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 289 KB

english, 2004

Passivation of InP/GaAsSb/InP double heterostructure bipolar transistors with ultra thin base layer by low-temperature deposited SiNx

Z. Jin, S. Neumann, W. Prost, F.-J. Tegude

Журнал: